/var/www/www-root/data/www/nikolayvboldyrev.fvds.ru/wp-includes/class-phpass.php:73 : (2) is_readable(): open_basedir restriction in effect. File(/dev/urandom) is not within the allowed path(s): (/var/www/www-root/data:.) Оперативная память Kingston DDR3 4Gb 1600MHz KVR16S11S8/4WP VALUERAM RTL PC3-12800 CL11 SO-DIMM 204-pin 1.5В dua - Дисконт.Москва
Товары для дома и сада

Оперативная память Kingston DDR3 4Gb 1600MHz KVR16S11S8/4WP VALUERAM RTL PC3-12800 CL11 SO-DIMM 204-pin 1.5В dua

Артикул: 1 334 383

 


 

Нет в наличии
2 290
Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 для ноутбуков обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В модуле также имеется 8 чипов с двухсторонним расположением.

Объем памяти 4 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и ресурсоемкими программами, а также современными нетребовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1600 МГц и пропускной способности, достигающей до 12800 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 11-11-11 не принижают скорости работы системы.

ValueRAM Kingston - это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston.

Характеристики:
Серия: ValueRAM
Модуль памяти: DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Частота функционирования: до 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Пропускная способность памяти: 12800 Мб/сек
Латентность: CL11
Тайминги: 11-11-11
Количество чипов памяти: 8
Напряжение питания: 1.5 В
Потребление энергии: 2.100 Вт
Бренд Kingston
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SO-DIMM
Объем памяти (Гб) 4
Количество модулей в комплекте 1
Объем одного модуля (Гб) 4
Частотная спецификация (MHz) 1600
Высота (мм) 30
Количество контактов 204-pin
Напряжение питания модулей памяти (В) 1.5
Латентность CL11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Регистровая память нет
ECC-память нет
Охлаждение нет
Цвет зеленый
Подсветка нет
Буферизация unbuffered
Двухсторонний модуль памяти нет
Пропускная способность (МБ/с) PC3-12800
Гарантия 10 лет
Чип модуля памяти 512M x 8-bit
Вам также может понравиться