/var/www/www-root/data/www/nikolayvboldyrev.fvds.ru/wp-includes/class-phpass.php:73 : (2) is_readable(): open_basedir restriction in effect. File(/dev/urandom) is not within the allowed path(s): (/var/www/www-root/data:.) Накопитель SSD Samsung M.2 970 EVO Plus 1000 Гб PCIe 3bit MLC (TLC) MZ-V7S1T0BW - Дисконт.Москва
Товары для дома и сада
Акция

Накопитель SSD Samsung M.2 970 EVO Plus 1000 Гб PCIe 3bit MLC (TLC) MZ-V7S1T0BW

Артикул: 1 333 721

 


 

В наличии
10 490
1 ТБ SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] – устройство экстра-класса.
Это не преувеличение: скоростные возможности модели подходят для любых задач. Пиковые скорость чтения и скорость записи, обеспечиваемые накопителем, больше чем на порядок превосходят соответствующие данные жестких дисков массового сегмента.
Накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] способен демонстрировать скорость чтения до 3500 МБ/с и скорость записи до 3300 МБ/с. Ресурс устройства – 600 TBW.
Высочайшая производительность модели обуславливает высокое (до 9 Вт) энергопотребление.
Накопитель соответствует самому распространенному форм-фактору – 2280.

Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 1000 ГБ
Форм-фактор: 2280
Физический интерфейс: PCI-E 3.x x4
Ключ M.2 разъема: M
NVMe: есть

Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 1024 МБ

Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 3500 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 3300 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 600000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 550000 IOPS

Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ
DWPD: 0.33

Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Средняя потребляемая мощность: 6 Вт. Максим: 9 Вт. (режим Burst)
Аппаратное шифрование данных: есть

Габариты и вес:
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
Бренд Samsung
Тип SSD-накопитель
Емкость (Гб) 1000
Форм-фактор (дюйм) М.2 2280
Интерфейс PCIe 3.0
Тип памяти 3-bit MLC (TLC)
Cкорость чтения (Мбайт/сек) 3500
Cкорость записи (Мбайт/сек) 3300
Ресурс записи TBW (TB) 600
DWPD 0.33
DRAM буфер (MB) 1024
Толщина (мм) 2.38
Длина (мм) 80
Ширина (мм) 22
Ключ M.2 разъема M
Радиатор в комплекте нет
Пропускная способность интерфейса (Гбит/сек) 8
Рабочая температура (°C) 0-70
Вес (г) 8
Гарантия 3 года
Вам также может понравиться
Нет в наличии
Артикул: 1 301 854
21 499
Артикул: 1 090 186
3 990
Нет в наличии