SSD M.2 накопитель Samsung 860 EVO [MZ-N6E1T0BW] имеет объем, равный 1024 ГБ. Устройство уверенно сыграет роль единственного накопителя в вашей системе. Модель соответствует форм-фактору 2280. Накопитель управляется контроллером Samsung MJX. Тип памяти – TLC 3D V-NAND. Используемые ключи M.2 – B и M.
Обмен информацией с накопителем Samsung 860 EVO [MZ-N6E1T0BW] осуществляется с использованием интерфейса SATA 3, пропускная способность которого равна 6 Гбит/с.
Возможностей интерфейса достаточно для реализации скоростного потенциала устройства. Накопитель характеризуется пиковыми скоростями чтения и записи сжатых данных, которые равны 550 и 520 МБ/с соответственно.
Имеющаяся поддержка команды TRIM способствует сохранению производительности модели с течением времени. Также поддерживаются S.M.A.R.T, WWN и технология Garbage Collection.
Ресурс накопителя составляет 600 TBW. Показатель MTBF стандартен для устройств такого класса – 1500000 ч. Ударостойкость накопителя равна 1500 G. Энергопотребление устройства невелико – 2.4 Вт.
Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 1000 ГБ
Форм-фактор: 2280
Физический интерфейс: SATA 3
Ключ M.2 разъема: B & M
NVMe: нет
Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 1024 МБ
Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 550 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 520 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 88000 IOPS
Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ
DWPD: 0.33
Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Энергопотребление: Средняя потребляемая мощность: 3.0 Вт. Макс. значение: 4,5 Вт. (режим Burst)
Аппаратное шифрование данных: есть
Габариты и вес:
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
Обмен информацией с накопителем Samsung 860 EVO [MZ-N6E1T0BW] осуществляется с использованием интерфейса SATA 3, пропускная способность которого равна 6 Гбит/с.
Возможностей интерфейса достаточно для реализации скоростного потенциала устройства. Накопитель характеризуется пиковыми скоростями чтения и записи сжатых данных, которые равны 550 и 520 МБ/с соответственно.
Имеющаяся поддержка команды TRIM способствует сохранению производительности модели с течением времени. Также поддерживаются S.M.A.R.T, WWN и технология Garbage Collection.
Ресурс накопителя составляет 600 TBW. Показатель MTBF стандартен для устройств такого класса – 1500000 ч. Ударостойкость накопителя равна 1500 G. Энергопотребление устройства невелико – 2.4 Вт.
Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 1000 ГБ
Форм-фактор: 2280
Физический интерфейс: SATA 3
Ключ M.2 разъема: B & M
NVMe: нет
Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 1024 МБ
Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 550 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 520 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 88000 IOPS
Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ
DWPD: 0.33
Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Энергопотребление: Средняя потребляемая мощность: 3.0 Вт. Макс. значение: 4,5 Вт. (режим Burst)
Аппаратное шифрование данных: есть
Габариты и вес:
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
| Бренд | Samsung |
| Пропускная способность интерфейса (Гбит/сек) | 6 |
| Емкость (Гб) | 1000 |
| Интерфейс | SATA III |
| Рабочая температура (°C) | 0-70 |
| Датчик ударов | да |
| Тип | SSD-накопитель |
| Гарантия | 3 года |
| Форм-фактор (дюйм) | М.2 2280 |
| Вес (г) | 8 |
| Толщина (мм) | 2.38 |
