Накопитель Samsung 860 EVO [MZ-N6E500BW] развивает скорость чтения, достигающую 550 МБ/с. Максимальная скорость записи чуть ниже – 520 МБ/с.
Поддержка технологии TRIM помогает обеспечить нужный уровень обработки данных по прошествии значительного времени с момента начала эксплуатации накопителя.
Управление накопителем осуществляет контроллер Samsung MJX. Применяемые чипы памяти – TLC 3D V-NAND. Ресурс накопителя типичен для SSD-устройств такого объема: величина этого показателя составляет 300 TBW. О высоком уровне надежности модели «сообщает» показатель MTBF, составляющий 1.5 миллиона часов. Ударостойкость накопителя – 1500 G (в течение 0.5 мс).
Одним из преимуществ накопителя является невысокое (лишь 2.4 Вт) энергопотребление.
Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 500 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Физический интерфейс: SATA 3
Ключ M.2 разъема: B & M
NVMe: нет
Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 512 МБ
Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 550 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 520 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 88000 IOPS
Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 300 ТБ
DWPD: 0.33
Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Энергопотребление: 2.5 Вт
Аппаратное шифрование данных: есть
Аппаратное шифрование AES 256 бит
Габариты и вес::
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
Поддержка технологии TRIM помогает обеспечить нужный уровень обработки данных по прошествии значительного времени с момента начала эксплуатации накопителя.
Управление накопителем осуществляет контроллер Samsung MJX. Применяемые чипы памяти – TLC 3D V-NAND. Ресурс накопителя типичен для SSD-устройств такого объема: величина этого показателя составляет 300 TBW. О высоком уровне надежности модели «сообщает» показатель MTBF, составляющий 1.5 миллиона часов. Ударостойкость накопителя – 1500 G (в течение 0.5 мс).
Одним из преимуществ накопителя является невысокое (лишь 2.4 Вт) энергопотребление.
Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 500 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Физический интерфейс: SATA 3
Ключ M.2 разъема: B & M
NVMe: нет
Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 512 МБ
Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 550 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 520 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 88000 IOPS
Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 300 ТБ
DWPD: 0.33
Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Энергопотребление: 2.5 Вт
Аппаратное шифрование данных: есть
Аппаратное шифрование AES 256 бит
Габариты и вес::
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
| Бренд | Samsung |
| Пропускная способность интерфейса (Гбит/сек) | 6 |
| Емкость (Гб) | 500 |
| Интерфейс | SATA III |
| Рабочая температура (°C) | 0-70 |
| Датчик ударов | да |
| Тип | SSD-накопитель |
| Гарантия | 3 года |
| Форм-фактор (дюйм) | М.2 2280 |
| Вес (г) | 8 |
| Толщина (мм) | 2.38 |
